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深圳市赛帆科技有限公司
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产品信息
650 V、1200 V和1700 V CoolSiC? MOSFET分立器件非常适合硬开关和谐振开关拓扑
英飞凌碳化硅MOSFET立足于一流的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现应用中的zui低损耗和运行中的zui高可靠性。分立式碳化硅 MOSFET产品组合提供650 V、1200 V和1700 V电压等级，导通电阻额定值为7 m?至1000 m?不等。碳化硅沟槽技术可实现灵活的参数设置，用于实施各自产品组合中的具体特性，譬如，栅源电压、雪崩技术参数、短路能力或适用于硬整流的内部体二极管等。
我们的650 V CoolSiC? MOSFET系列可优化大电流和低电容条件下的开关性能，适用于各种工业应用场合，包括服务器、电信设备、电机驱动等。1200 V MOSFET系列适用于工业和汽车领域，如车载充电器/PFC、辅助逆变器和不间断电源（UPS）。zui后，1700 V CoolSiC? MOSFET具有反激式拓扑结构，可用于储能系统、电动汽车快速充电、电源管理（SMPS) 和太阳能系统解决方案。
采用分立封装的CoolSiC? MOSFET非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器等。其抵御有害寄生导通效应的出色能力，树立了低动态损耗方面的标杆，即使在桥接拓扑中的零伏关断电压下也是如此。我们的TO-和SMD产品还配有开尔文源引脚，用于优化开关性能
碳化硅MOSFET拥有快速内部续流二极管，因而可在无需额外二极管的情况下实现硬开关。由于是单极性，尤其在部分负载条件下，MOSFET具有与温度无关的极低开关损耗及导通损耗。
英飞凌独特的1200 V和650 V 碳化硅 MOSFET，非常适合LLC和ZVS等硬开关和谐振开关拓扑，可以像IGBT或CoolMOS?一样选用标准驱动。得益于先进的沟槽设计，zui优的开关损耗和导通损耗，zui高的跨导电平（增益），Vth = 4 V的阈值电压，以及卓越的短路能力，这些器件具有jue佳的门极氧化层可靠性。